电容两端和公共点之间分辨测电阻，一般阻值大的是副绕组，阻值小的是主绕组。电容两端切换实现正反转那么该用电阻档的哪个量程呢？电阻的公式R=ρl/sρ是电阻率，L是材料长度，单位为米,S是截面积,算出来的结果单位为Ω。从公式可以看出在相同的条件下，截面积越大阻值越小，大电机绕组的铜丝粗一点，但是电阻其实不大，十几欧姆左右，有的甚至几欧姆。小电机绕组的电阻相对大一点，有的小电机功率才几十瓦，可是绕组的阻值却几百欧姆，如果是铝线的那阻值更高，几千欧姆也正常。

废旧电缆利用方法
1.手工剥皮法：该法采用人工进行剥皮，效率低、成本高，而且工人的操作环境较差；
2.焚烧法：焚烧法是一种传统的方法，使废线缆的塑料皮燃烧，然后其中的铜，但产生的烟气污染极为严重，同时 ，在焚烧过程中铜线的表面严重氧化，降低了金属率，该法已经被各国严格禁止；
3.机械剥皮法：采用线缆剥皮机进行，该法仍需要人工操作，属半机械化，劳动强度大，效率低，而且只适用粗径线缆；
4.化学法：化学法废线缆技术是在上个世纪90年代提出的，一些 曾进行研究，我国在“八五”期间也进行过研究。该法有一个的缺点是产生的废液无法，对环境有较大的影响，故很少采用；
5.冷冻法：该法也是上个世纪九十年代提出的，采用液氮制冷剂，使废线缆在极低的温度下变脆，然后经过破碎和震动，使塑料皮与铜线段分离，我国在“八五”期间也曾经立项研究，但此法的缺点是成本高，难以进行工业化的生产

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可控硅包括单向可控硅和双向可控硅两种，都有三个脚。单向可控硅的三个引脚分别是G（控制极）、K（阴极）、阳极（A）。双向可控硅的三个引脚分别是G（控制极）、T1（输入端）、T2（输出端）。双向可控硅其实就是由两只单项可控硅反向并联构成的。单向可控硅图分辨单、双向可控硅的方法，用万用表的RX1档分别对可控硅三个引脚进行两两正反测量，这样测完一个可控硅需要测6次，6次中测量中只有一次测量值为几十至几百欧，就可判定这个可控硅是单向可控硅。以平端面的四分点作为基准点，先利用基准进行断面一运行退出和车外圆一运行退出，在选用部件所用具，将其放置在平端面四分点处，如此可以确定起点，进行数控机床。以平端面四分点处为基准点， 对在每次基准退出时记下屏幕显示数据，到直接到达对应坐标即可。综合以上内容的分析，可以充分说明数控机床中有效运用对技巧来进行对操作是非常有效的，可以提高对操作的准确性，为高质的进行数控创造条件。正确测量读数。操作者一手固定兆欧表，一手摇动兆欧表手柄。摇动兆欧表手柄时应由慢渐快至额定转速120r/min。测量时，绝缘电阻值随着测量时间的长短而不同，一般采用1min以后的读数为准。使用注意：首先选用与被测元件电压等级相适应的摇表，对于500V及 的摇表。对于500V以上 表。用摇表测试高压设备的绝缘时，应由两人进行。下图表示单极方式与双极方式的简图，即在1个主极上的绕线方式。单极方式时，两个绕组同时绕制，如上图所示，一个线圈的终端是另一个线圈始端，它们共用一点。单极式时，C端接电源正极、A端接电源负极，或C端接正、A端接负的两种激磁状态下，定子主极及其前端的齿会产生相反的极性。单极方式必须要注意，A端子与“杠A”端子如同时通电，主极的磁通互相抵消，只产生线圈的铜耗。下图表示单极和双极的两相驱动电路及其电压波形，两相式通常用两相激磁方式（通常两个相同时加激磁电压）。当使用三菱plcQ13UDEH和组态王6.55进行通信，使用Melsec_ 驱动。使用该驱动时应注意，勾选“允许RUN中写入（FTP与MC协议）”选项。否则会出现变量只能读取不能写入的现像1.使用内置以太网模块首先使用三菱编程软件新建工程：点击设置“PLC参数”选择“内置以太网板设置”点击“始设定”设定内置以太网参数*如果选用TCP协议则打方式务必选取“MC协议”如果需要多上位访问可以添加多个MC协议，添加多个端口号。